காலியம் ஆன்டிமோனைடு GaSb

விளக்கம்

காலியம் ஆன்டிமோனைடு GaSb, துத்தநாகம்-கலவை லட்டு அமைப்பு கொண்ட குழு III-V சேர்மங்களின் ஒரு குறைக்கடத்தி, 6N 7N உயர் தூய்மையான காலியம் மற்றும் ஆன்டிமனி கூறுகளால் ஒருங்கிணைக்கப்படுகிறது, மேலும் LEC முறை மூலம் படிகமாக வளர்க்கப்படுகிறது.^-3.GaSb செதில் வெட்டப்பட்டு, பின்னர் ஒரே படிக இங்காட்டிலிருந்து அதிக சீரான மின் அளவுருக்கள், தனித்துவமான மற்றும் நிலையான லேட்டிஸ் கட்டமைப்புகள் மற்றும் குறைந்த குறைபாடு அடர்த்தி, மற்ற உலோகம் அல்லாத சேர்மங்களை விட அதிக ஒளிவிலகல் குறியீட்டுடன் உருவாக்கலாம்.GaSb துல்லியமான அல்லது ஆஃப் நோக்குநிலை, குறைந்த அல்லது அதிக டோப் செறிவு, நல்ல மேற்பரப்பு பூச்சு மற்றும் MBE அல்லது MOCVD எபிடாக்சியல் வளர்ச்சி ஆகியவற்றில் பரந்த தேர்வுடன் செயலாக்கப்படலாம்.ஃபோட்டோ டிடெக்டர்களின் புனைகதைகள், நீண்ட ஆயுள் கொண்ட அகச்சிவப்பு கண்டுபிடிப்பாளர்கள், அதிக உணர்திறன் மற்றும் நம்பகத்தன்மை, ஒளிச்சேர்க்கை கூறுகள், அகச்சிவப்பு எல்இடிகள் மற்றும் லேசர்கள், டிரான்சிஸ்டர்கள், வெப்ப ஒளிமின்னழுத்த செல்கள் போன்ற அதிநவீன புகைப்பட-ஒளியியல் மற்றும் ஒளிமின்னழுத்த பயன்பாடுகளில் கேலியம் ஆன்டிமோனைடு அடி மூலக்கூறு பயன்படுத்தப்படுகிறது. மற்றும் தெர்மோ-ஃபோட்டோவோல்டாயிக் அமைப்புகள்.

டெலிவரி

வெஸ்டர்ன் மின்மெட்டல்ஸ் (SC) கார்ப்பரேஷனில் உள்ள காலியம் ஆன்டிமோனைடு GaSb ஆனது n-வகை, p-வகை மற்றும் 2” 3” மற்றும் 4” (50mm, 75mm, 100mm) விட்டம், நோக்குநிலை <111> அளவில் குறைக்கப்படாத அரை-இன்சுலேடிங் கடத்துத்திறனுடன் வழங்கப்படலாம். அல்லது <100>, மற்றும் வெட்டப்பட்ட, பொறிக்கப்பட்ட, பளபளப்பான அல்லது உயர்தர எபிடாக்சி தயாராக முடித்த செதில் மேற்பரப்பு பூச்சு.அடையாளத்திற்காக அனைத்து துண்டுகளும் தனித்தனியாக லேசர் எழுதப்பட்டவை.இதற்கிடையில், பாலிகிரிஸ்டலின் கேலியம் ஆன்டிமோனைடு GaSb கட்டியும் சரியான தீர்வுக்கான கோரிக்கையின் பேரில் தனிப்பயனாக்கப்படுகிறது.

இப்போது விசாரணை

விவரங்கள்

குறிச்சொற்கள்

தொழில்நுட்ப விவரக்குறிப்பு

காலியம் ஆன்டிமனைடு

GaSb

காலியம் ஆன்டிமோனைடு GaSbஃபோட்டோ டிடெக்டர்களின் புனைகதைகள், நீண்ட ஆயுள் கொண்ட அகச்சிவப்பு கண்டுபிடிப்பாளர்கள், அதிக உணர்திறன் மற்றும் நம்பகத்தன்மை, ஒளிச்சேர்க்கை கூறுகள், அகச்சிவப்பு எல்இடிகள் மற்றும் லேசர்கள், டிரான்சிஸ்டர்கள், வெப்ப ஒளிமின்னழுத்த செல் மற்றும் தெர்மோ போன்ற அதிநவீன புகைப்பட-ஒளியியல் மற்றும் ஒளியியல் பயன்பாடுகளில் அடி மூலக்கூறு பயன்படுத்தப்படுகிறது. - ஒளிமின்னழுத்த அமைப்புகள்.

	பொருட்களை	நிலையான விவரக்குறிப்பு
1	அளவு	2"	3"	4"
2	விட்டம் மிமீ	50.5 ± 0.5	76.2 ± 0.5	100 ± 0.5
3	வளர்ச்சி முறை	LEC	LEC	LEC
4	கடத்துத்திறன்	P-type/Zn-doped, Un-doped, N-type/Te-doped
5	நோக்குநிலை	(100)±0.5°, (111)±0.5°
6	தடிமன் μm	500±25	600±25	800±25
7	நோக்குநிலை பிளாட் மிமீ	16±2	22± 1	32.5±1
8	அடையாளம் பிளாட் மிமீ	8± 1	11± 1	18± 1
9	மொபிலிட்டி cm2/Vs	200-3500 அல்லது தேவைக்கேற்ப
10	கேரியர் செறிவு செ.மீ-3	(1-100)E17 அல்லது தேவைக்கேற்ப
11	TTV μm அதிகபட்சம்	15	15	15
12	வில் μm அதிகபட்சம்	15	15	15
13	வார்ப் μm அதிகபட்சம்	20	20	20
14	இடப்பெயர்வு அடர்த்தி செமீ-2 அதிகபட்சம்	500	1000	2000
15	மேற்பரப்பு முடித்தல்	பி/இ, பி/பி	பி/இ, பி/பி	பி/இ, பி/பி
16	பேக்கிங்	அலுமினியப் பையில் அடைக்கப்பட்ட ஒற்றை வேஃபர் கொள்கலன்.

நேரியல் சூத்திரம்	GaSb
மூலக்கூறு எடை	191.48
படிக அமைப்பு	துத்தநாக கலவை
தோற்றம்	சாம்பல் படிக திடமானது
உருகுநிலை	710°C
கொதிநிலை	N/A
அடர்த்தி 300K	5.61 கிராம்/செ.மீ³
ஆற்றல் இடைவெளி	0.726 eV
உள்ளார்ந்த எதிர்ப்பாற்றல்	1E3 Ω-செ.மீ
CAS எண்	12064-03-8
EC எண்	235-058-8

காலியம் ஆன்டிமோனைடு GaSbவெஸ்டர்ன் மின்மெட்டல்ஸ் (SC) கார்ப்பரேஷன் n-வகை, p-வகை மற்றும் 2" 3" மற்றும் 4" (50mm, 75mm, 100mm) விட்டம், நோக்குநிலை <111> அல்லது <100 அளவில் குறைக்கப்படாத அரை-இன்சுலேடிங் கடத்துத்திறனுடன் வழங்கப்படலாம். >, மற்றும் வெட்டப்பட்ட, பொறிக்கப்பட்ட, பளபளப்பான அல்லது உயர்தர எபிடாக்சி தயார் பூச்சுகளின் செதில் மேற்பரப்பு பூச்சு.அடையாளத்திற்காக அனைத்து துண்டுகளும் தனித்தனியாக லேசர் எழுதப்பட்டவை.இதற்கிடையில், பாலிகிரிஸ்டலின் கேலியம் ஆன்டிமோனைடு GaSb கட்டியும் சரியான தீர்வுக்கான கோரிக்கையின் பேரில் தனிப்பயனாக்கப்படுகிறது.