இண்டியம் ஆன்டிமோனைடு இன்எஸ்பி

விளக்கம்

Indium Antimonide InSb, குழு III-V படிக சேர்மங்களின் துத்தநாகம்-கலவை லேட்டிஸ் அமைப்புடன் கூடிய ஒரு குறைக்கடத்தி, 6N 7N உயர் தூய்மை இண்டியம் மற்றும் ஆன்டிமனி தனிமங்களால் ஒருங்கிணைக்கப்படுகிறது, மேலும் VGF முறை அல்லது திரவ இணைக்கப்பட்ட Czochralski LEC முறை மூலம் ஒற்றைப் படிகத்தை உருவாக்குகிறது. இது வெட்டப்பட்டு, செதில்களாக உருவாக்கி, பின்னர் தடுக்கலாம்.InSb என்பது அறை வெப்பநிலையில் 0.17eV இன் குறுகிய பேண்ட் இடைவெளி, 1–5μm அலைநீளத்திற்கு அதிக உணர்திறன் மற்றும் அல்ட்ரா ஹை ஹால் மொபிலிட்டி ஆகியவற்றைக் கொண்ட ஒரு நேரடி மாறுதல் குறைக்கடத்தி ஆகும்.வெஸ்டர்ன் மின்மெட்டல்ஸ் (SC) கார்ப்பரேஷனில் இண்டியம் ஆன்டிமோனைடு InSb n-வகை, p-வகை மற்றும் அரை-இன்சுலேடிங் கடத்துத்திறன் 1″ 2″ 3″ மற்றும் 4” (30mm, 50mm, 75mm, 100mm) விட்டம், நோக்குநிலை < 111> அல்லது <100>, மற்றும் வெட்டப்பட்ட, மடிக்கப்பட்ட, பொறிக்கப்பட்ட மற்றும் மெருகூட்டப்பட்ட செதில் மேற்பரப்பு பூச்சு.Indium Antimonide InSb இலக்கு டய.50-80மிமீ டோப் செய்யப்பட்ட n-வகையும் உள்ளது.இதற்கிடையில், பாலிகிரிஸ்டலின் இண்டியம் ஆன்டிமோனைடு InSb (மல்டிகிரிஸ்டல் InSb) அளவு ஒழுங்கற்ற கட்டி, அல்லது வெற்று (15-40) x (40-80)mm மற்றும் D30-80mm வட்டப் பட்டை ஆகியவை சரியான தீர்வுக்கான கோரிக்கையின் பேரில் தனிப்பயனாக்கப்படுகின்றன.

விண்ணப்பம்

Indium Antimonide InSb என்பது மேம்பட்ட வெப்ப இமேஜிங் தீர்வு, FLIR அமைப்பு, ஹால் உறுப்பு மற்றும் காந்த எதிர்ப்பு விளைவு உறுப்பு, அகச்சிவப்பு ஹோமிங் ஏவுகணை வழிகாட்டுதல் அமைப்பு, மிகவும் பதிலளிக்கக்கூடிய அகச்சிவப்பு ஒளிக்கதிர் சென்சார் போன்ற பல அதிநவீன கூறுகள் மற்றும் சாதனங்களின் உற்பத்திக்கான ஒரு சிறந்த அடி மூலக்கூறு ஆகும். , உயர் துல்லியமான காந்த மற்றும் சுழலும் மின்தடை சென்சார், குவிய பிளானர் வரிசைகள் மற்றும் டெராஹெர்ட்ஸ் கதிர்வீச்சு மூலமாகவும் அகச்சிவப்பு வானியல் விண்வெளி தொலைநோக்கி போன்றவற்றிலும் மாற்றியமைக்கப்பட்டது.

இப்போது விசாரணை

விவரங்கள்

குறிச்சொற்கள்

தொழில்நுட்ப விவரக்குறிப்பு

இண்டியம் ஆன்டிமோனைடு

InSb

இண்டியம் ஆன்டிமோனைடு அடி மூலக்கூறு(InSb அடி மூலக்கூறு, InSb வேஃபர்) வெஸ்டர்ன் மின்மெட்டல்ஸ் (SC) கார்ப்பரேஷனில் n-வகை அல்லது p-வகை 1" 2" 3" மற்றும் 4" (30, 50, 75 மற்றும் 100mm) விட்டம், நோக்குநிலை <111> அல்லது <100>, மற்றும் மடிக்கப்பட்ட, பொறிக்கப்பட்ட, பளபளப்பான பூச்சுகளின் செதில் மேற்பரப்புடன், இண்டியம் ஆன்டிமோனைடு ஒற்றை கிரிஸ்டல் பார் (InSb மோனோகிரிஸ்டல் பார்) கோரிக்கையின் பேரில் வழங்கப்படலாம்.

இண்டியம் ஆன்டிமோனைடுPஓலிகிரிஸ்டலின் (InSb பாலிகிரிஸ்டலின், அல்லது மல்டிகிரிஸ்டல் InSb) ஒழுங்கற்ற கட்டியின் அளவு, அல்லது வெற்று (15-40)x(40-80)mm ஆகியவை சரியான தீர்வுக்கான கோரிக்கையின் பேரில் தனிப்பயனாக்கப்படுகின்றன.

இதற்கிடையில், அன்-டோப் செய்யப்பட்ட n-வகை கொண்ட Dia.50-80mm இன் இண்டியம் ஆன்டிமோனைடு இலக்கும் (InSb Target) கிடைக்கிறது.

இல்லை.	பொருட்களை	நிலையான விவரக்குறிப்பு
1	இண்டியம் ஆன்டிமோனைடு அடி மூலக்கூறு	2"	3"	4"
2	விட்டம் மிமீ	50.5 ± 0.5	76.2 ± 0.5	100 ± 0.5
3	வளர்ச்சி முறை	LEC	LEC	LEC
4	கடத்துத்திறன்	P-type/Zn,Ge doped, N-type/Te-doped, Un-doped
5	நோக்குநிலை	(100)±0.5°, (111)±0.5°
6	தடிமன் μm	500±25	600±25	800±25
7	நோக்குநிலை பிளாட் மிமீ	16±2	22± 1	32.5±1
8	அடையாளம் பிளாட் மிமீ	8± 1	11± 1	18± 1
9	மொபிலிட்டி cm2/Vs	1-7E5 N/un-doped, 3E5-2E4 N/Te-doped, 8-0.6E3 அல்லது ≤8E13 P/Ge-doped
10	கேரியர் செறிவு செ.மீ-3	6E13-3E14 N/un-doped, 3E14-2E18 N/Te-doped, 1E14-9E17 அல்லது <1E14 P/Ge-doped
11	TTV μm அதிகபட்சம்	15	15	15
12	வில் μm அதிகபட்சம்	15	15	15
13	வார்ப் μm அதிகபட்சம்	20	20	20
14	இடப்பெயர்வு அடர்த்தி செமீ-2 அதிகபட்சம்	50	50	50
15	மேற்பரப்பு முடித்தல்	பி/இ, பி/பி	பி/இ, பி/பி	பி/இ, பி/பி
16	பேக்கிங்	அலுமினியப் பையில் அடைக்கப்பட்ட ஒற்றை வேஃபர் கொள்கலன்.

இல்லை.	பொருட்களை	நிலையான விவரக்குறிப்பு
இல்லை.	பொருட்களை	Indium Antimonide பாலிகிரிஸ்டலின்	இண்டியம் ஆன்டிமோனைடு இலக்கு
1	கடத்துத்திறன்	நீக்கப்பட்டது	நீக்கப்பட்டது
2	கேரியர் செறிவு செ.மீ^-3	6E13-3E14	1.9-2.1E16
3	இயக்கம் செ.மீ²/வி	5-7E5	6.9-7.9E4
4	அளவு	15-40x40-80 மிமீ	டி(50-80) மிமீ
5	பேக்கிங்	கூட்டு அலுமினியப் பையில், வெளியே அட்டைப்பெட்டி

நேரியல் சூத்திரம்	InSb
மூலக்கூறு எடை	236.58
படிக அமைப்பு	துத்தநாக கலவை
தோற்றம்	அடர் சாம்பல் உலோக படிகங்கள்
உருகுநிலை	527 °C
கொதிநிலை	N/A
அடர்த்தி 300K	5.78 கிராம்/செ.மீ³
ஆற்றல் இடைவெளி	0.17 eV
உள்ளார்ந்த எதிர்ப்பாற்றல்	4E(-3) Ω-செ.மீ
CAS எண்	1312-41-0
EC எண்	215-192-3

இண்டியம் ஆன்டிமோனைடு இன்எஸ்பிமேம்பட்ட வெப்ப இமேஜிங் தீர்வு, FLIR அமைப்பு, ஹால் உறுப்பு மற்றும் காந்த எதிர்ப்பு விளைவு உறுப்பு, அகச்சிவப்பு ஹோமிங் ஏவுகணை வழிகாட்டுதல் அமைப்பு, மிகவும் பதிலளிக்கக்கூடிய அகச்சிவப்பு ஃபோட்டோடெக்டர் சென்சார் போன்ற பல அதிநவீன கூறுகள் மற்றும் சாதனங்களின் உற்பத்திக்கு வேஃபர் ஒரு சிறந்த அடி மூலக்கூறு ஆகும். துல்லியமான காந்த மற்றும் சுழலும் மின்தடை உணர்திறன், குவிய பிளானர் வரிசைகள், மேலும் ஒரு டெராஹெர்ட்ஸ் கதிர்வீச்சு மூலமாகவும் அகச்சிவப்பு வானியல் விண்வெளி தொலைநோக்கி போன்றவற்றிலும் மாற்றியமைக்கப்பட்டது.