இண்டியம் ஆர்சனைடு InAs

விளக்கம்

Indium arsenide InAs கிரிஸ்டல் என்பது III-V குழுவின் கலவை குறைக்கடத்தி ஆகும் , உருகுநிலை 942 °C.இண்டியம் ஆர்சனைடு பேண்ட் இடைவெளி என்பது காலியம் ஆர்சனைடுக்கு ஒத்த நேரடி மாற்றமாகும், மேலும் தடைசெய்யப்பட்ட பேண்ட் அகலம் 0.45eV (300K) ஆகும்.InAs படிகமானது மின் அளவுருக்கள், நிலையான லட்டு, அதிக எலக்ட்ரான் இயக்கம் மற்றும் குறைந்த குறைபாடு அடர்த்தி ஆகியவற்றின் உயர் சீரான தன்மையைக் கொண்டுள்ளது.VGF அல்லது LEC ஆல் வளர்க்கப்படும் உருளை வடிவ InAs படிகமானது, MBE அல்லது MOCVD எபிடாக்சியல் வளர்ச்சிக்காக வெட்டப்பட்ட, பொறிக்கப்பட்ட, மெருகூட்டப்பட்ட அல்லது எபி-ரெடியாக செதில்களாக வெட்டப்பட்டு புனையப்படலாம்.

விண்ணப்பங்கள்

இண்டியம் ஆர்சனைடு கிரிஸ்டல் வேஃபர் என்பது ஹால் சாதனங்கள் மற்றும் காந்தப்புல உணரிகளை உருவாக்குவதற்கான ஒரு சிறந்த அடி மூலக்கூறு ஆகும். அறை வெப்பநிலையில், அதே போல் நடுத்தர அலைநீள அகச்சிவப்பு சூப்பர் லேட்டீஸ் லேசர்கள், அதன் 2-14 μm அலைநீள வரம்பிற்கு மத்திய அகச்சிவப்பு LED சாதனங்கள் உருவாக்கம்.மேலும், InAs என்பது பன்முகத்தன்மை கொண்ட InGaAs, InAsSb, InAsPSb & InNAsSb அல்லது AlGaSb சூப்பர் லேட்டிஸ் அமைப்பு போன்றவற்றை மேலும் ஆதரிக்க ஒரு சிறந்த அடி மூலக்கூறு ஆகும்.

இப்போது விசாரணை

விவரங்கள்

குறிச்சொற்கள்

தொழில்நுட்ப விவரக்குறிப்பு

இண்டியம் ஆர்சனைடு

InAs

இண்டியம் ஆர்சனைடு கிரிஸ்டல் வேஃபர்ஹால் சாதனங்கள் மற்றும் காந்தப்புல உணரிகளை உருவாக்குவதற்கான ஒரு சிறந்த அடி மூலக்கூறு ஆகும் அத்துடன் நடுத்தர அலைநீளம் அகச்சிவப்பு சூப்பர் லேட்டிஸ் லேசர்கள், அதன் 2-14 μm அலைநீள வரம்பிற்கான நடு அகச்சிவப்பு LED சாதனங்கள் புனையப்பட்டது.மேலும், InAs என்பது பன்முகத்தன்மை கொண்ட InGaAs, InAsSb, InAsPSb & InNAsSb அல்லது AlGaSb சூப்பர் லேட்டிஸ் அமைப்பு போன்றவற்றை மேலும் ஆதரிக்க ஒரு சிறந்த அடி மூலக்கூறு ஆகும்.

இல்லை.	பொருட்களை	நிலையான விவரக்குறிப்பு
1	அளவு	2"	3"	4"
2	விட்டம் மிமீ	50.5 ± 0.5	76.2 ± 0.5	100 ± 0.5
3	வளர்ச்சி முறை	LEC	LEC	LEC
4	கடத்துத்திறன்	P-type/Zn-doped, N-type/S-doped, Un-doped
5	நோக்குநிலை	(100)±0.5°, (111)±0.5°
6	தடிமன் μm	500±25	600±25	800±25
7	நோக்குநிலை பிளாட் மிமீ	16±2	22±2	32±2
8	அடையாளம் பிளாட் மிமீ	8± 1	11± 1	18± 1
9	மொபிலிட்டி cm2/Vs	60-300, ≥2000 அல்லது தேவைக்கேற்ப
10	கேரியர் செறிவு செ.மீ-3	(3-80)E17 அல்லது ≤5E16
11	TTV μm அதிகபட்சம்	10	10	10
12	வில் μm அதிகபட்சம்	10	10	10
13	வார்ப் μm அதிகபட்சம்	15	15	15
14	இடப்பெயர்வு அடர்த்தி செமீ-2 அதிகபட்சம்	1000	2000	5000
15	மேற்பரப்பு முடித்தல்	பி/இ, பி/பி	பி/இ, பி/பி	பி/இ, பி/பி
16	பேக்கிங்	அலுமினியப் பையில் அடைக்கப்பட்ட ஒற்றை வேஃபர் கொள்கலன்.

நேரியல் சூத்திரம்	InAs
மூலக்கூறு எடை	189.74
படிக அமைப்பு	துத்தநாக கலவை
தோற்றம்	சாம்பல் படிக திடமானது
உருகுநிலை	(936-942)°செ
கொதிநிலை	N/A
அடர்த்தி 300K	5.67 கிராம்/செ.மீ³
ஆற்றல் இடைவெளி	0.354 eV
உள்ளார்ந்த எதிர்ப்பாற்றல்	0.16 Ω-செ.மீ
CAS எண்	1303-11-3
EC எண்	215-115-3

இண்டியம் ஆர்சனைடு InAsவெஸ்டர்ன் மின்மெட்டல்ஸ் (SC) கார்ப்பரேஷன் 2” 3” மற்றும் 4” (50mm, 75mm,100mm) விட்டம் கொண்ட பாலிகிரிஸ்டலின் கட்டி அல்லது ஒற்றை படிகமாக வெட்டப்பட்ட, பொறிக்கப்பட்ட, பளபளப்பான அல்லது எபி-ரெடி செதில்களாக வழங்கப்படலாம், மேலும் p-type, n-type அல்லது un-doped கடத்துத்திறன் மற்றும் <111> அல்லது <100> நோக்குநிலை.தனிப்பயனாக்கப்பட்ட விவரக்குறிப்பு உலகெங்கிலும் உள்ள எங்கள் வாடிக்கையாளர்களுக்கு சரியான தீர்வாகும்.