சிலிக்கான் கார்பைடு SiC

விளக்கம்

சிலிக்கான் கார்பைடு வேஃபர் SiC, MOCVD முறையின் மூலம் மிகவும் கடினமானது, செயற்கையாக சிலிக்கான் மற்றும் கார்பனின் படிக கலவை உற்பத்தி செய்யப்படுகிறது, மற்றும் காட்சிப்படுத்துகிறதுஅதன் தனித்துவமான பரந்த பேண்ட் இடைவெளி மற்றும் வெப்ப விரிவாக்கத்தின் குறைந்த குணகம், அதிக இயக்க வெப்பநிலை, நல்ல வெப்பச் சிதறல், குறைந்த மாறுதல் மற்றும் கடத்தல் இழப்புகள், அதிக ஆற்றல் திறன், அதிக வெப்ப கடத்துத்திறன் மற்றும் வலுவான மின்சார புல முறிவு வலிமை, அத்துடன் அதிக செறிவூட்டப்பட்ட நீரோட்டங்களின் பிற சாதகமான பண்புகள் நிலை.வெஸ்டர்ன் மின்மெட்டல்ஸ் (SC) கார்ப்பரேஷனில் உள்ள சிலிக்கான் கார்பைடு SiC ஐ 2″ 3' 4" மற்றும் 6" (50mm, 75mm, 100mm, 150mm) விட்டம், n-வகை, அரை-இன்சுலேடிங் அல்லது டம்மி வேஃபர் கொண்ட தொழில்துறைக்கு வழங்கப்படலாம். மற்றும் ஆய்வக பயன்பாடு.எந்தவொரு தனிப்பயனாக்கப்பட்ட விவரக்குறிப்பு உலகெங்கிலும் உள்ள எங்கள் வாடிக்கையாளர்களுக்கு சரியான தீர்வாகும்.

விண்ணப்பங்கள்

உயர்தர 4H/6H சிலிக்கான் கார்பைடு SiC வேஃபர் பல அதிநவீன அதிவேக, உயர் வெப்பநிலை மற்றும் உயர் மின்னழுத்த எலக்ட்ரானிக் சாதனங்களான Schottky diodes & SBD, உயர்-பவர் ஸ்விட்சிங் MOSFETகள் & JFETகள் போன்றவற்றை உற்பத்தி செய்வதற்கு ஏற்றது. இன்சுலேட்டட்-கேட் பைபோலார் டிரான்சிஸ்டர்கள் மற்றும் தைரிஸ்டர்களின் ஆராய்ச்சி மற்றும் மேம்பாட்டில் விரும்பத்தக்க பொருள்.ஒரு சிறந்த புதிய தலைமுறை குறைக்கடத்திப் பொருளாக, சிலிக்கான் கார்பைடு SiC வேஃபர் உயர்-சக்தி LEDகளின் கூறுகளில் திறமையான வெப்பப் பரப்பியாகவும் அல்லது எதிர்கால இலக்கு அறிவியல் ஆய்வுக்கு ஆதரவாக GaN அடுக்கை வளர்ப்பதற்கான நிலையான மற்றும் பிரபலமான அடி மூலக்கூறாகவும் செயல்படுகிறது.

இப்போது விசாரணை

விவரங்கள்

குறிச்சொற்கள்

தொழில்நுட்ப விவரக்குறிப்பு

சிலிக்கான் கார்பைடு SiC

சிலிக்கான் கார்பைடு SiCவெஸ்டர்ன் மின்மெட்டல்ஸ் (SC) கார்ப்பரேஷனில் 2″ 3' 4" மற்றும் 6″ (50mm, 75mm, 100mm, 150mm) விட்டம், n-வகை, அரை-இன்சுலேடிங் அல்லது டம்மி செதில் தொழில்துறை மற்றும் ஆய்வக பயன்பாட்டிற்காக வழங்கப்படலாம். .எந்தவொரு தனிப்பயனாக்கப்பட்ட விவரக்குறிப்பும் உலகளாவிய எங்கள் வாடிக்கையாளர்களுக்கு சரியான தீர்வாகும்.

நேரியல் சூத்திரம்	SiC
மூலக்கூறு எடை	40.1
படிக அமைப்பு	வூர்ட்சைட்
தோற்றம்	திடமான
உருகுநிலை	3103 ± 40K
கொதிநிலை	N/A
அடர்த்தி 300K	3.21 கிராம்/செ.மீ³
ஆற்றல் இடைவெளி	(3.00-3.23) ஈ.வி
உள்ளார்ந்த எதிர்ப்பாற்றல்	>1E5 Ω-செ.மீ
CAS எண்	409-21-2
EC எண்	206-991-8

இல்லை.	பொருட்களை	நிலையான விவரக்குறிப்பு
1	SiC அளவு	2"	3"	4"	6"
2	விட்டம் மிமீ	50.8 0.38	76.2 0.38	100 0.5	150 0.5
3	வளர்ச்சி முறை	MOCVD	MOCVD	MOCVD	MOCVD
4	கடத்துத்திறன் வகை	4H-N, 6H-N, 4H-SI, 6H-SI
5	மின்தடை Ω-செ.மீ	0.015-0.028;0.02-0.1;>1E5
6	நோக்குநிலை	0°±0.5°;<1120> நோக்கி 4.0°
7	தடிமன் μm	330±25	330±25	(350-500) ±25	(350-500) ±25
8	முதன்மை பிளாட் இடம்	<1-100>±5°	<1-100>±5°	<1-100>±5°	<1-100>±5°
9	முதன்மை பிளாட் நீளம் மிமீ	16± 1.7	22.2±3.2	32.5±2	47.5 ± 2.5
10	இரண்டாம் நிலை பிளாட் இடம்	சிலிக்கான் முகம் மேலே: 90°, ப்ரைம் பிளாட் ±5.0° இலிருந்து கடிகார திசையில்
11	இரண்டாம் நிலை பிளாட் நீளம் மிமீ	8± 1.7	11.2± 1.5	18±2	22± 2.5
12	TTV μm அதிகபட்சம்	15	15	15	15
13	வில் μm அதிகபட்சம்	40	40	40	40
14	வார்ப் μm அதிகபட்சம்	60	60	60	60
15	எட்ஜ் விலக்கு மிமீ அதிகபட்சம்	1	2	3	3
16	நுண்குழாய் அடர்த்தி செ.மீ-2	<5, தொழில்துறை;<15, ஆய்வகம்;<50, போலி
17	இடப்பெயர்ச்சி செ.மீ-2	<3000, தொழில்துறை;<20000, ஆய்வகம்;<500000, போலி
18	மேற்பரப்பு கடினத்தன்மை nm அதிகபட்சம்	1(பாலீஷ்), 0.5 (சிஎம்பி)
19	விரிசல்	இல்லை, தொழில்துறை தரத்திற்கு
20	அறுகோண தட்டுகள்	இல்லை, தொழில்துறை தரத்திற்கு
21	கீறல்கள்	≤3மிமீ, மொத்த நீளம் அடி மூலக்கூறு விட்டத்தை விடக் குறைவு
22	எட்ஜ் சிப்ஸ்	இல்லை, தொழில்துறை தரத்திற்கு
23	பேக்கிங்	அலுமினிய கலவை பையில் அடைக்கப்பட்ட ஒற்றை செதில் கொள்கலன்.

சிலிக்கான் கார்பைடு SiC 4H/6Hஷாட்கி டையோட்கள் & SBD, உயர்-பவர் ஸ்விட்ச்சிங் MOSFETகள் & JFETகள் போன்ற பல அதிநவீன உயர்ந்த வேகமான, உயர்-வெப்பநிலை மற்றும் உயர் மின்னழுத்த மின்னணு சாதனங்களைத் தயாரிப்பதற்கு உயர்தர செதில் சரியானது. இது விரும்பத்தக்க பொருளாகும். இன்சுலேட்டட்-கேட் பைபோலார் டிரான்சிஸ்டர்கள் மற்றும் தைரிஸ்டர்களின் ஆராய்ச்சி மற்றும் மேம்பாடு.ஒரு சிறந்த புதிய தலைமுறை குறைக்கடத்திப் பொருளாக, சிலிக்கான் கார்பைடு SiC வேஃபர் உயர்-சக்தி LEDகளின் கூறுகளில் திறமையான வெப்பப் பரப்பியாகவும் அல்லது எதிர்கால இலக்கு அறிவியல் ஆய்வுக்கு ஆதரவாக GaN அடுக்கை வளர்ப்பதற்கான நிலையான மற்றும் பிரபலமான அடி மூலக்கூறாகவும் செயல்படுகிறது.