காலியம் ஆர்சனைடு GaAs

விளக்கம்

காலியம் ஆர்சனைடுGaAs என்பது ஒரு குழு III-V இன் நேரடி பேண்ட் இடைவெளி கலவை குறைக்கடத்தி குறைந்தபட்சம் 6N 7N உயர் தூய்மை காலியம் மற்றும் ஆர்சனிக் தனிமத்தால் ஒருங்கிணைக்கப்பட்டது, மேலும் VGF அல்லது LEC செயல்முறை மூலம் உயர் தூய்மை பாலிகிரிஸ்டலின் கேலியம் ஆர்சனைடு, சாம்பல் நிற தோற்றம், துத்தநாகக் கலவையுடன் கூடிய கன படிகங்கள் ஆகியவற்றால் உருவாக்கப்பட்ட படிகமாகும்.கார்பன், சிலிக்கான், டெல்லூரியம் அல்லது துத்தநாகம் ஆகியவற்றின் ஊக்கமருந்து முறையே n-வகை அல்லது p-வகை மற்றும் அரை-இன்சுலேடிங் கடத்துத்திறனைப் பெறுவதன் மூலம், ஒரு உருளை InAs படிகத்தை வெட்டப்பட்டு, வெட்டப்பட்ட, பொறிக்கப்பட்ட, பளபளப்பான அல்லது எபியில் வெற்று மற்றும் செதில்களாக உருவாக்கலாம். MBE அல்லது MOCVD எபிடாக்சியல் வளர்ச்சிக்கு தயார்.அகச்சிவப்பு ஒளி-உமிழும் டையோட்கள், லேசர் டையோட்கள், ஆப்டிகல் ஜன்னல்கள், ஃபீல்ட்-எஃபெக்ட் டிரான்சிஸ்டர்கள் FETகள், டிஜிட்டல் ஐசிகளின் நேரியல் மற்றும் சூரிய மின்கலங்கள் போன்ற மின்னணு சாதனங்களைத் தயாரிக்க காலியம் ஆர்சனைடு வேஃபர் முக்கியமாகப் பயன்படுத்தப்படுகிறது.GaAs கூறுகள் அதி-உயர் ரேடியோ அதிர்வெண்கள் மற்றும் வேகமான மின்னணு மாறுதல் பயன்பாடு, பலவீனமான-சிக்னல் பெருக்க பயன்பாடுகளில் பயனுள்ளதாக இருக்கும்.மேலும், காலியம் ஆர்சனைடு அடி மூலக்கூறு என்பது RF பாகங்கள், நுண்ணலை அதிர்வெண் மற்றும் மோனோலிதிக் ஐசிகள் மற்றும் ஒளியியல் தகவல்தொடர்புகளில் LED சாதனங்கள் மற்றும் அதன் நிறைவுற்ற ஹால் இயக்கம், அதிக சக்தி மற்றும் வெப்பநிலை நிலைத்தன்மை ஆகியவற்றுக்கான கட்டுப்பாட்டு அமைப்புகளை தயாரிப்பதற்கான சிறந்த பொருளாகும்.

டெலிவரி

வெஸ்டர்ன் மின்மெட்டல்ஸ் (SC) கார்ப்பரேஷனில் உள்ள காலியம் ஆர்சனைடு GaAs, 2” 3” 4” மற்றும் 6” (50mm 75mm, 100mm, 150mm) விட்டம், p-வகை, n-வகை அல்லது அரை-இன்சுலேடிங் கடத்துத்திறன் மற்றும் <111> அல்லது <100> நோக்குநிலை.தனிப்பயனாக்கப்பட்ட விவரக்குறிப்பு உலகெங்கிலும் உள்ள எங்கள் வாடிக்கையாளர்களுக்கு சரியான தீர்வாகும்.