காலியம் பாஸ்பைட் ஜிஏபி

விளக்கம்

காலியம் பாஸ்பைட் GaP, மற்ற III-V கலவைப் பொருட்கள் போன்ற தனித்துவமான மின் பண்புகளின் முக்கியமான குறைக்கடத்தி, வெப்ப இயக்கவியல் நிலையான கன ZB கட்டமைப்பில் படிகமாக்குகிறது, இது 2.26 eV (300K) இன் மறைமுக பட்டை இடைவெளியைக் கொண்ட ஆரஞ்சு-மஞ்சள் செமிட்ரான்ஸ்பரன்ட் படிகப் பொருளாகும். 6N 7N உயர் தூய்மை கேலியம் மற்றும் பாஸ்பரஸ் ஆகியவற்றிலிருந்து ஒருங்கிணைக்கப்பட்டு, லிக்விட் என்காப்சுலேட்டட் சோக்ரால்ஸ்கி (LEC) நுட்பத்தால் ஒற்றைப் படிகமாக வளர்க்கப்படுகிறது.கேலியம் பாஸ்பைட் படிகமானது n-வகை செமிகண்டக்டரைப் பெறுவதற்கு கந்தகம் அல்லது டெல்லூரியம் டோப் செய்யப்படுகிறது, மேலும் துத்தநாகம் p-வகை கடத்துத்திறனாக டோப் செய்யப்படுகிறது, மேலும் இது ஆப்டிகல் சிஸ்டம், எலக்ட்ரானிக் மற்றும் பிற ஆப்டோ எலக்ட்ரானிக்ஸ் சாதனங்களில் பயன்பாடுகளைக் கொண்டுள்ளது.உங்கள் LPE, MOCVD மற்றும் MBE எபிடாக்சியல் பயன்பாட்டிற்காக ஒற்றை கிரிஸ்டல் GaP செதில் எபி-ரெடியாகத் தயாரிக்கப்படலாம்.வெஸ்டர்ன் மின்மெட்டல்ஸ் (SC) கார்ப்பரேஷனில் உயர்தர ஒற்றை கிரிஸ்டல் காலியம் பாஸ்பைட் GaP வேஃபர் p-வகை, n-வகை அல்லது பயன்படுத்தப்படாத கடத்துத்திறன் 2″மற்றும் 3” (50mm, 75mm விட்டம்) , நோக்குநிலை <100>,<111 > வெட்டப்பட்ட, பளபளப்பான அல்லது எபி-ரெடி செயல்முறையின் மேற்பரப்புடன்.

விண்ணப்பங்கள்

குறைந்த மின்னோட்டம் மற்றும் ஒளி உமிழ்வில் அதிக திறன் கொண்ட, குறைந்த விலை சிவப்பு, ஆரஞ்சு மற்றும் பச்சை ஒளி-உமிழும் டையோட்கள் (எல்இடி) மற்றும் மஞ்சள் மற்றும் பச்சை எல்சிடி மற்றும் LED சில்லுகளின் பின்னொளி மற்றும் LED சில்லுகள் உற்பத்தி போன்ற ஆப்டிகல் டிஸ்ப்ளே அமைப்புகளுக்கு கேலியம் பாஸ்பைட் GaP வேஃபர் பொருத்தமானது. குறைந்த முதல் நடுத்தர பிரகாசம், அகச்சிவப்பு சென்சார்கள் மற்றும் கண்காணிப்பு கேமராக்கள் உற்பத்திக்கான அடிப்படை அடி மூலக்கூறாக GaP பரவலாக ஏற்றுக்கொள்ளப்படுகிறது.

இப்போது விசாரணை

விவரங்கள்

குறிச்சொற்கள்

தொழில்நுட்ப விவரக்குறிப்பு

காலியம் பாஸ்பைட் ஜிஏபி

வெஸ்டர்ன் மின்மெட்டல்ஸ் (SC) கார்ப்பரேஷனில் உயர்தர ஒற்றை கிரிஸ்டல் காலியம் பாஸ்பைட் GaP செதில் அல்லது அடி மூலக்கூறு p-வகை, n-வகை அல்லது குறைக்கப்படாத கடத்துத்திறன் 2″ மற்றும் 3” (50mm, 75mm) விட்டம், நோக்குநிலை <100> அளவில் வழங்கப்படலாம். , <111> அலுமினிய கலவை பையில் சீல் செய்யப்பட்ட ஒற்றை வேஃபர் கொள்கலனில் அல்லது சரியான தீர்வுக்கு தனிப்பயனாக்கப்பட்ட விவரக்குறிப்பில் வெட்டப்பட்ட, லேப் செய்யப்பட்ட, பொறிக்கப்பட்ட, பளபளப்பான, எபி-ரெடி செயலாக்கப்பட்ட மேற்பரப்பு பூச்சுடன்.

இல்லை.	பொருட்களை	நிலையான விவரக்குறிப்பு
1	GaP அளவு	2"
2	விட்டம் மிமீ	50.8 ± 0.5
3	வளர்ச்சி முறை	LEC
4	கடத்துத்திறன் வகை	P-type/Zn-doped, N-type/(S, Si,Te)-doped, Un-doped
5	நோக்குநிலை	<1 1 1> ± 0.5°
6	தடிமன் μm	(300-400) ± 20
7	மின்தடை Ω-செ.மீ	0.003-0.3
8	ஓரியண்டேஷன் பிளாட் (OF) மிமீ	16± 1
9	அடையாளம் பிளாட் (IF) மிமீ	8± 1
10	ஹால் மொபிலிட்டி cm2/Vs நிமிடம்	100
11	கேரியர் செறிவு செ.மீ^-3	(2-20) E17
12	இடப்பெயர்வு அடர்த்தி செ.மீ^-2அதிகபட்சம்	2.00E+05
13	மேற்பரப்பு முடித்தல்	பி/இ, பி/பி
14	பேக்கிங்	அலுமினிய கலவை பையில் அடைக்கப்பட்ட ஒற்றை செதில் கொள்கலன், வெளியே அட்டைப்பெட்டி

நேரியல் சூத்திரம்	ஜி.பி
மூலக்கூறு எடை	100.7
படிக அமைப்பு	துத்தநாக கலவை
தோற்றம்	ஆரஞ்சு திடமானது
உருகுநிலை	N/A
கொதிநிலை	N/A
அடர்த்தி 300K	4.14 கிராம்/செ.மீ³
ஆற்றல் இடைவெளி	2.26 eV
உள்ளார்ந்த எதிர்ப்பாற்றல்	N/A
CAS எண்	12063-98-8
EC எண்	235-057-2

காலியம் பாஸ்பைட் GaP வேஃபர், குறைந்த மின்னோட்டம் மற்றும் ஒளி உமிழ்வில் அதிக திறன் கொண்டது, குறைந்த விலை சிவப்பு, ஆரஞ்சு மற்றும் பச்சை ஒளி-உமிழும் டையோட்கள் (எல்இடிகள்) மற்றும் மஞ்சள் மற்றும் பச்சை எல்சிடி போன்றவற்றின் பின்னொளி மற்றும் குறைந்த முதல் நடுத்தரத்துடன் LED சிப்கள் உற்பத்தி போன்ற ஆப்டிகல் காட்சி அமைப்புகளுக்கு ஏற்றது. பிரகாசம், அகச்சிவப்பு சென்சார்கள் மற்றும் கண்காணிப்பு கேமராக்கள் உற்பத்திக்கான அடிப்படை அடி மூலக்கூறாகவும் GaP பரவலாக ஏற்றுக்கொள்ளப்படுகிறது.